晶体管或者FETs并联以增加性能时,给系统非稳定性增加了可能性

   当晶体管或者FETs并联以增加性能时,给系统非稳定性增加了可能性。如果发生振荡,频率可以高到无法测量。这个类型的振荡器能使元器件过热和/或者限制他们的有效增益。由这个类型振荡器产生的辐射能够干扰附近电

路。如果电路是小范围稳定，振荡可能发生在一段长时间的预热之后或在连接某些负载值时。

   当两个或更多的有源器件类型的元件连接到一块常常会有问题出现。一个例子是并联电力晶体管通过连接基极,发射极和集电极在一起。一个好的方法是放置一个电阻器串联在每一发射极和在每个基极增加一个串联电阻。

典型的发射极电阻是10n,典型的基极电阻是1000n。这些电阻经常称为抑制电阻。

注意如果超过一个元件的器件并联到第二个器件，应该使用串联电阻